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NTK3134N
TYPICAL CHARACTERISTICS
140
120
100
80
60
40
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
V DD = 10 V
I D = 500 mA
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t d(on)
t r
20
0
0
C oss
C rss
2 4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
10
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1.0
0.9
0.8
V GS = 0 V
150 ° C
125 ° C
25 ° C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T J = ? 55 ° C
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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